- 日時: 2008年5月30日(金)
- 場所: 産業技術総合研究所 つくば中央 共用講堂 中会議室
- 参加費: 無料
プログラム
- 10:40-10:50
開会挨拶
産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター 安田哲二
- 1. 10:50-11:30
軟X線エリプソメトリー
東北大学 多元物質科学研究所 津留俊英, 山本正樹
- 2. 11:30-12:00
分光エリプソメータによるカルコパイライト型半導体結晶の評価
群馬大学大学院 工学研究科 尾崎俊二, 安達定雄
- 12:00-13:00
昼食
- 3. 13:00-13:30
チャネルドスペクトルを用いたスナップショット分光エリプソメータ
オムロン株式会社 技術統括センタ 岡部浩史, 北海道大学 工学研究科 岡和彦
- 4. 13:30-14:10
アボガドロ定数決定の為のエリプソメトリーによる膜厚測定
産業技術総合研究所 計測標準研究部門 倉本直樹, 藤井賢一, 東康史
- 5. 14:10-14:50
分光エリプソメトリによるSiC酸化膜界面の評価
埼玉大学大学院 理工学研究科 矢口裕之, 土方泰斗, 吉田貞史
- 14:50-15:00
休憩
- 6. 15:00-15:40
反射分光によるSi(001)初期酸化過程の解析
横浜国立大学 工学部 大野真也
- 7. 15:40-16:20
真空紫外ＲＤＳの開発と酸化膜／半導体界面評価への適用
産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター 安田哲二, 横浜国立大学 工学部 尾形祥一, 大野真也, 田中正俊
問い合わせ先：産総研ナノ電子デバイス研究センター 安田哲二